[发明专利]用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定装置及其方法无效
| 申请号： | 201110257345.1 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102965632A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 周军;傅昶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定装置，所述物理气相沉积腔室包括靶和磁体，所述靶具有有效表面，用以溅射靶材料，用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定装置包括：侦测器，用以测量所述靶消耗的厚度值；位置控制元件，根据所述靶消耗的厚度值调整所述靶和所述磁体之间的距离。本发明还提供了一种用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定的方法，通过侦测器的测量以及位置控制元件的调整，增强了靶材材料在物理气相沉积过程中沉积速率的稳定性，使整个工艺过程的可控性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 物理 沉积 磁场强度 稳定 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种用于物理气相沉积腔室的靶磁场强度稳定装置，所述物理气相沉积腔室包括靶和磁体，所述靶具有有效表面，用以溅射靶材料，其特征在于，还包括：侦测器，用以测量所述靶消耗的厚度值；位置控制元件，根据所述靶消耗的厚度值调整所述靶和所述磁体之间的距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110257345.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：开水瓶的电路板盒组件易拆卸结构
- 下一篇：一种食物料理器
- 同类专利
- 专利分类
