[发明专利]累积型场效应管可变电容及其制造工艺有效
| 申请号： | 201110257353.6 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102280497A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L29/06;H01L21/334 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供A-MOS可变电容及其制造工艺，以提高可变电容的电容调节范围，该可变电容包括阱结构、源端、漏端及栅端，所述阱结构为低阈值阱或深阱，该制造工艺包括步骤：提供衬底；在衬底上形成绝缘层；基于阱光掩模版，光刻绝缘层，形成阱掺杂区；对阱掺杂区进行杂质离子注入，形成低阈值阱或深阱；通过后续常规工艺，完成栅极、源极及漏极结构的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 累积 场效应 可变电容 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种累积型场效应管可变电容，包括阱结构、源端、漏端及栅端，其特征在于，所述阱结构为低阈值阱或深阱。
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