[发明专利]一种高强度高阻尼的Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料无效

专利信息
申请号: 201110257419.1 申请日: 2011-09-01
公开(公告)号: CN102358925A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 崔立山;张俊松;杜敏疏;姜大强;王珊;郑雁军 申请(专利权)人: 中国石油大学(北京)
主分类号: C22C14/00 分类号: C22C14/00;C22C1/02;C22F1/18
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 韩蕾
地址: 102249*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种新型高强度高阻尼的Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料。该Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料包括Ti元素、Sn元素和Ni元素,三者的原子比为(0.25x+y)∶0.25x∶(100-y-0.5x),其中,x=16-84,y=45.333-53.818。本发明提供的记忆合金复合材料具有高强度、高塑性、高应变强化、不明显屈服、低频内耗、高频声衰减等独特的功能特性。本发明还提供了上述Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料的制备方法。该制备方法包括以下步骤:按Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料的成分配比选取纯度在99wt.%以上的单质锡、钛、镍;将单质锡、钛、镍放入真空度高于10-1Pa或惰性气体保护的熔炼炉中,熔炼成Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料。
搜索关键词: 一种 强度 阻尼 ti sub sn tini 记忆 合金 复合材料
【主权项】:
一种Ti3Sn/TiNi记忆合金复合材料,其包括Ti元素、Sn元素和Ni元素,三者的原子比为(0.25x+y)∶0.25x∶(100‑y‑0.5x),其中,x=16‑84,y=45.333‑53.818。
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