[发明专利]编程电压产生电路及其传输电路在审
| 申请号： | 201110257481.0 | 申请日： | 2011-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102385928A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种编程电压产生电路及其传输电路，该传输电路至少包括：第一PMOS晶体管、第一开关、第二PMOS晶体管以及第二开关，该第一PMOS晶体管源极连接于该编程稳压器的输出端，漏极与该第二PMOS晶体管源极相连，该第一开关连接于该第一PMOS晶体管之栅极与该编程稳压器之输出端，并与一使能控制信号连接，该第二PMOS晶体管漏极输出实际编程电压至存储单元的编程电压端，该第二开关连接于该第二PMOS晶体管之栅极与该编程电压端之间，并与该使能控制信号连接，本发明使得实际编程电压与初始编程电压几乎相等，易于实际编程电压的准确控制，并可减小存储单元的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 电压 产生 电路 及其 传输 | ||
【主权项】：
一种编程电压产生电路，包括编程电荷泵、编程稳压器、编程电压传输电路、擦除电荷泵、擦除稳压器及擦除电压传输电路，其特征在于，该编程电压传输电路至少包括：第一PMOS晶体管、第一开关、第二PMOS晶体管以及第二开关，该第一PMOS晶体管源极连接于该编程稳压器的输出端，漏极与该第二PMOS晶体管源极相连，该第一开关连接于该第一PMOS晶体管之栅极与该编程稳压器之输出端，并与一使能控制信号连接，以在该使能控制信号的控制下控制该第一PMOS晶体管的通断，该第二PMOS晶体管漏极输出实际编程电压至存储单元的编程电压端，该第二开关连接于该第二PMOS晶体管之栅极与该编程电压端之间，并与该使能控制信号连接，以在该使能控制信号的控制下控制该第二PMOS晶体管的通断。
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