[发明专利]介电薄膜形成组合物，形成介电薄膜的方法和由该方法所形成的介电薄膜无效
| 申请号： | 201110258192.2 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102436866A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | G.古伊甘;渡边敏昭;曾山信幸;樱井英章 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01B3/10 | 分类号： | H01B3/10;H01B19/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李连涛;艾尼瓦尔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
用于形成BST介电薄膜的介电薄膜形成组合物，该组合物包括用于形成薄膜的液态组合物，其采用混合的复合金属氧化物的形式，在其中包括Cu(铜)的复合氧化物B被混合到由式Ba1-xSrxTiyO3(其中0.2 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 组合 方法 | ||
【主权项】：
用于形成BST介电薄膜的介电薄膜形成组合物，该组合物包括：用于形成薄膜的液态组合物，其采用混合的复合金属氧化物的形式，在其中包括Cu(铜)的复合氧化物B被混合到由式Ba1‑xSrxTiyO3(其中0.2
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