[发明专利]二次电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201110259013.7 | 申请日： | 2011-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102544602A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 金钟弼;金大根;林成日 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01M10/42 | 分类号： | H01M10/42;H01M2/34;H01M10/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 陈万青;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种二次电池，包括电极组件；容纳所述电极组件的罐；密封所述罐的盖组件；覆盖所述盖组件的上壳体；以及在所述盖组件和所述上壳体之间的保护电路模块，所述保护电路模块具有印刷电路板；和通过第一焊料连接到所述印刷电路板的第一保护电路装置；以及通过第二焊料电连接到所述印刷电路板的外部端子，其中所述第一焊料的熔点不低于所述第二焊料的熔点。本发明还公开了一种制备二次电池的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二次电池，包括：电极组件；容纳所述电极组件的罐；密封所述罐的盖组件；覆盖所述盖组件的上壳体；和在所述盖组件和所述上壳体之间的保护电路模块，所述保护电路模块包括：印刷电路板；和通过第一焊料连接到所述印刷电路板的第一保护电路装置；以及通过第二焊料电连接到所述印刷电路板的外部端子，其中所述第一焊料的熔点不低于所述第二焊料的熔点。
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