[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底(1)上形成漂移层(2)；在漂移层(2)上形成基极层(3)；形成沟槽(6)以穿透所述基极层(3)，并到达所述漂移层(2)；修圆沟槽(6)的肩部角落和底部角落；利用有机膜(21)覆盖所述沟槽(6)的内壁；向基极层(3)的表面部分注入杂质；通过激活所注入的杂质来形成源极区(4)；以及在形成所述源极区(4)之后去除所述有机膜(21)。衬底(1)、漂移层(2)、基极层(3)和源极区(4)由碳化硅制成，在沟槽(6)被有机膜(21)覆盖的情况下执行杂质的注入和激活。

主权项

一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括：在具有第一导电类型或第二导电类型的衬底(1)上形成漂移层(2)；在所述漂移层(2)上或在所述漂移层(2)的表面部分中形成基极层(3)；形成沟槽(6)，使所述沟槽(6)穿透所述基极层(3)，并到达所述漂移层(2)；修圆所述沟槽(6)的肩部角落部分和底部角落部分；利用有机膜(21)覆盖所述沟槽(6)的内壁；向所述基极层(3)的表面部分注入具有所述第一导电类型的杂质；通过激活在所述基极层(3)的表面部分中注入的杂质来形成源极区(4)；在形成所述源极区(4)之后去除所述有机膜(21)；在所述沟槽(6)的内壁上形成栅极绝缘膜(7)；在所述沟槽(6)中的所述栅极绝缘膜(7)上形成栅电极(8)；形成源电极(9)，使所述源电极(9)与所述源极区(4)和所述基极层(3)电耦合；以及在所述衬底(1)的背侧上形成漏电极(11)，其中所述衬底(1)由碳化硅制成，其中所述漂移层(2)由具有所述第一导电类型的碳化硅制成，并且所述漂移层(2)被以低于所述衬底(1)的杂质浓度的杂质浓度掺杂，其中所述基极层(3)由具有所述第二导电类型的碳化硅制成，其中所述沟槽(6)的肩部角落设置于所述沟槽(6)的开口侧，其中在所述沟槽(6)覆盖有所述有机膜(21)的情况下进行杂质的注入，其中在所述沟槽(6)覆盖有所述有机膜(21)的情况下进行所注入杂质的激活，并且其中所述源极区(4)由具有所述第一导电类型的碳化硅制成，并且所述源极区(4)被以高于所述漂移层(2)的杂质浓度的杂质浓度掺杂。