[发明专利]一种MgZnO薄膜的制备设备系统和方法

摘要

本发明涉及一种MgZnO薄膜，尤其是一种用于制备紫外探测器的MgZnO薄膜的磁控溅射系统和方法。磁控溅射系统包括生长腔(1)，真空系统(2)，安放衬底的基片架(3)，2个溅射电极(4)、(5)，电子枪(6)和混气室(7)。溅射电极上分别装有Mg金属靶和Zn金属靶，基片架(3)位于2个溅射电极的中垂线上，可以保证Mg原子和Zn原子同时到达基片架(3)，基片架上只放置一个衬底(8)，且衬底(8)位于基片架的正中心，保证衬底在旋转过程中不偏离中轴线，保证整个MgZnO薄膜中各组分均匀。生长MgZnO薄膜前，电子枪(6)可以对基片架上的衬底(8)进行轰击，活化衬底表面。混气室(7)可以保证溅射气体Ar和反应气体O2均匀混合。

主权项

一种MgZnO薄膜制备设备系统，其特征在于该设备包括生长腔，真空系统，安放衬底的基片架，二个溅射电极，电子枪和混气室七个重要部分，利用反应磁控溅射方法在衬底上生长三元MgZnO合金薄膜。