[发明专利]一种基于双端口SRAM的故障注入方法无效
| 申请号： | 201110261295.4 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102446559A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 杨献;王雷;蒋见花;刘海南;黑勇;周玉梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双端口SRAM的故障注入方法，包括：在SRAM第一端口的编码器后设置一个第一编码选择器；在第二端口的编码器后设置一个第二编码选择器；以及在SRAM全局设置一个外部控制信号TEST施加到第一编码选择器和第二编码选择器上。本发明提供的在片内实现故障注入的方法，片外只需一个控制信号控制即可，无需引入其他外部注入信号，且只占用很少的内部芯片面积，能快捷地实现故障注入测试。同时，由于该方法只是逻辑等效故障注入，并非直接注入错误，因此减小了测试功耗。另外，该方法测试操作简单，快速，具有低成本，高测试覆盖率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 端口 sram 故障 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种基于双端口SRAM的故障注入方法，其特征在于，该方法包括：在SRAM第一端口的编码器后设置一个第一编码选择器(11)；在第二端口的编码器后设置一个第二编码选择器(12)；以及在SRAM全局设置一个外部控制信号TEST施加到第一编码选择器(11)和第二编码选择器(12)上。
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