[发明专利]小尺寸鳍形结构的制造方法有效
| 申请号： | 201110261527.6 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102983073A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;赵超;李俊峰;卢一泓 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种小尺寸鳍形结构的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成第一掩模层和第二掩模层；刻蚀第一掩模层和第二掩模层形成硬掩模图形，其中第二掩模层图形比第一掩模层图形宽；去除第二掩模层图形；以第一掩模层图形为掩模，干法刻蚀衬底，形成鳍形结构。依照本发明的小尺寸鳍形结构制造方法，先制备较大尺寸的硬掩模，而后通过湿法腐蚀制备出宽度可控的、小尺寸硬掩模，最终利用在体硅晶圆的刻蚀上，从而得到所需的小尺寸鳍形结构，提高了器件的电学性能以及集成度，并简化了工艺降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种小尺寸鳍形结构的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成第一掩模层和第二掩模层；刻蚀第一掩模层和第二掩模层形成硬掩模图形，其中第二掩模层图形比第一掩模层图形宽；去除第二掩模层图形；以第一掩模层图形为掩模，干法刻蚀衬底，形成鳍形结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
