[发明专利]声表面波器件、电子设备及传感器装置

摘要

本发明提供一种声表面波器件、电子设备以及传感器装置。该声表面波(SAW)器件在工作温度范围内同时实现了优异的频率温度特性和较高的Q值。SAW器件(11)具有：IDT(13)，其在欧拉角(-1.5°≤Φ≤1.5°，117°≤θ≤142°，42.79°≤|ψ|≤49.57°)的水晶基板(12)的主面上激振阻带上限模式的SAW；一对反射器(14)，其被配置在IDT(13)的两侧；电极指间槽(17)，其凹设在IDT的电极指(15a、15b)之间；导体条间槽(18)，其凹设在反射器的导体条(14a)之间，其中，SAW的波长λ与电极指间槽的深度G之间满足0.01λ≤G，IDT的线占有率η与电极指间槽的深度G满足预定的关系式，IDT的线占有率η与反射器的线占有率ηr具有η＜ηr的关系。

主权项

一种声表面波器件，其特征在于，具有：水晶基板，其欧拉角为：(‑1.5°≤Φ≤1.5°，117°≤θ≤142°，42.79°≤|ψ|≤49.57°)；叉指换能器，其由被设置于所述水晶基板的主面上的多个电极指构成，且激振阻带上限模式的声表面波；一对反射器，其沿着所述声表面波的传播方向并以夹着所述叉指换能器的方式而在叉指换能器两侧配置，并分别由多个导体条构成；电极指间槽，其凹设在所述叉指换能器的相邻的所述电极指间的、所述水晶基板的表面上；导体条间槽，其凹设在所述反射器的相邻的所述导体条间的、所述水晶基板的表面上，所述声表面波的波长λ与所述电极指间槽的深度G满足0.01λ≤G的关系，所述叉指换能器的线占有率η与所述电极指间槽的深度G满足下述式8以及式9的关系，即，式8‑2.0000×G/λ+0.7200≤η≤‑2.5000×G/λ+0.7775，但是，0.0100λ≤G≤0.0500λ；式9‑3.5898×G/λ+0.7995≤η≤‑2.5000×G/λ+0.7775，但是，0.0500λ＜G≤0.0695λ；所述叉指换能器的线占有率η与所述反射器的线占有率ηr之间满足η＜ηr的关系。