[发明专利]一种新型的纳米二氧化硅粉体的制备方法无效
申请号: | 201110263223.3 | 申请日: | 2011-09-07 |
公开(公告)号: | CN102417186A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 景介辉;徐秀梅;吴大青;宋志伟 | 申请(专利权)人: | 黑龙江科技学院 |
主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18;C25B1/22;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150027 黑*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种新型的纳米二氧化硅粉体的制备方法,它涉及一种阳极电解沉淀的方法制备纳米二氧化硅粉体,可以解决纳米二氧化硅粉体的制备过程中粉体颗粒尺寸较大、颗粒间易团聚和颗粒尺寸不均匀性的问题。采用两室电解的方法,在阳极室控制惰性电极的电解电流密度,通过降低阳极室硅酸钠溶液pH值的方法,得到超细硅酸沉淀,经过过滤、洗涤和干燥获得超细硅酸粉体,在一定温度下热解可以得到粒度控制在60~90nm范围的二氧化硅粉体。该制备纳米二氧化硅粉体的方法,具有制样过程简单、操作控制方便等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 纳米 二氧化硅 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种新型的纳米二氧化硅粉体的制备方法,其特征在于它的具体制备工艺过程如下步骤A、选取具有一定浓度的硅酸钠溶液加入到由阳离子交换离子膜有效分割开的两室电解槽中的阳极室;步骤B、选取具有一定浓度的氯化钠溶液加入到由阳离子交换离子膜有效分割开的两室电解槽中的阴极室;步骤C、通过控制阳极室中惰性电极表面的电解电流密度进行电解,溶液中的氢氧根离子被氧化,以氧气形式不断从体系中逸出,阳极室的溶液pH值逐渐降低,达到硅酸沉淀所需要的pH值时,超细硅酸沉淀不断析出,通过过滤、洗涤、干燥,获得超细硅酸粉体;步骤D、将超细硅酸粉体置于热解设备中,控制热分解温度范围,超细硅酸粉体热分解得到纳米二氧化硅粉体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黑龙江科技学院,未经黑龙江科技学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110263223.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:纤维幅材机的维护平台装置
- 下一篇:对传统文档的快速归并支持