[发明专利]低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法有效
| 申请号： | 201110263766.5 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102983163A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有效降低了源漏接触电阻的MOSFET及其制作方法，包括：衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、栅极堆叠结构两侧衬底上的栅极侧墙、栅极侧墙两侧源漏区上的金属硅化物，其特征在于：金属硅化物与源漏区的界面处具有掺杂离子的分凝区。依照本发明的能有效降低源漏接触电阻的器件及其制造方法，在金属硅化物的源漏接触与掺杂源漏区之间的界面处具有掺杂离子的分凝区，能有效降低肖特基势垒高度，从而大大降低了源漏接触电阻，进一步提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 漏接 触电 mosfets 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有效降低了源漏接触电阻的MOSFET，包括：衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、栅极堆叠结构两侧衬底上的栅极侧墙、栅极侧墙两侧源漏区上的金属硅化物，其特征在于：金属硅化物与源漏区的界面处具有掺杂离子的分凝区。
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