[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201110264387.8 | 申请日： | 2002-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102324250A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 山岡雅直;石橋孝一郎;松井重纯;長田健一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C5/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及混合装配有逻辑电路和SRAM电路的系统LSI，特别是涉及减小漏电流，减小备用状态的功耗的半导体器件。在系统LSI中的逻辑电路上设置电源开关，在备用时，切断该开关以减小漏电流。同时，在SRAM电路中，控制衬底偏压以减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，具有：配置在多条字线和位线的交点上的多个存储单元，被供给有第1动作电压的第1节点，被供给有低于上述第1动作电压的第2动作电压的第2节点，连接在上述位线上的读写控制电路，对上述字线进行选择的译码器，连接在上述译码器与上述第1节点之间的第1开关，连接在上述读写控制电路与上述第2节点之间的第2开关，上述第1开关被设置成将上述译码器而不是上述读写控制电路连接于上述第1节点，上述第2开关被设置成将上述读写控制电路而不是上述译码器连接于上述第2节点，从而使上述译码器的漏电流由上述第1开关的动作所控制，而上述读写控制电路的漏电流由上述第2开关的动作所控制。
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