[发明专利]形成RDL的方法和半导体器件

摘要

本发明涉及一种形成RDL的方法和半导体器件。一种半导体器件具有半导体管芯和形成在该半导体管芯表面上的第一导电层。第一绝缘层形成在半导体管芯的该表面上。第二绝缘层形成在第一绝缘层和第一导电层上。开口形成在第一绝缘层上的第二绝缘层中。第二导电层形成在第一导电层和第二绝缘层上的开口中。沿着第一轴，第二导电层具有小于第一导电层的宽度的宽度。沿着与第一轴垂直的第二轴，第二导电层具有大于第一导电层的宽度的宽度。第三绝缘层形成在第二导电层和第一绝缘层上。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体管芯；在该半导体管芯表面上形成第一导电层；在该半导体管芯的该表面上形成第一绝缘层；在第一绝缘层和第一导电层上形成第二绝缘层；在第一导电层上的第二绝缘层中形成开口，该开口在第一导电层的第一和第二相对边缘上延伸超过该第一导电层，而第二绝缘层相对于第一导电层的第三和第四相对边缘覆盖该第一导电层，该第一导电层的第三和第四相对边缘与第一导电层的第一和第二相对边缘垂直；在第一和第二绝缘层上以及在第二绝缘层中的开口内的第一导电层部分上形成第二导电层；以及在第二导电层和第一和第二绝缘层上形成第三绝缘层。