[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110265211.4 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN103000664A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体层；对所述半导体层构图形成的鳍片；以及跨于所述鳍片上的栅堆叠，其中，所述鳍片在底部包括掺杂的阻挡区。根据本发明的实施例，通过所述阻挡区，可以有利地防止鳍片底部的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体层；对所述半导体层构图形成的鳍片；以及跨于所述鳍片上的栅堆叠，其中，所述鳍片在底部包括掺杂的阻挡区。
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