[发明专利]一种大马士革制造工艺

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种大马士革制造工艺，通过在铜互连线上覆盖可防铜扩散的金属保护层，并且不在铜互连线上覆盖介电阻挡层，不仅相应提高了铜互连线电子迁移和应力迁移的可靠性，而且能够改善铜互连线RC延迟问题。

主权项

一种大马士革制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一衬底上淀积介电层，采用大马士革刻蚀工艺刻蚀介电层以形成铜互连线沟槽；步骤S2：淀积金属阻挡层覆盖剩余介电层的上表面、铜互连线沟槽的侧壁及其底部，电镀填充金属铜充满铜互连线沟槽后，进行平坦化处理，去除覆盖在剩余介电层的上表面上的金属阻挡层及金属铜后，在铜互连线沟槽中形成铜凹槽；步骤S3：淀积金属保护层覆盖剩余介电层和剩余金属阻挡层的上表面、铜凹槽的底部及其侧壁，进行平坦化处理，去除覆盖剩余介电层和剩余金属阻挡层的上表面上的金属保护层，形成第一金属层；步骤S4：淀积第二介电层覆盖第一金属层，采用双大马士革刻蚀工艺刻蚀第二介电层以形成铜互连线通孔和沟槽，重复上述工艺步骤S2和S3，于第一金属层上制备第二金属层。