[发明专利]单一波长多层雷射加工的方法无效
申请号: | 201110265242.X | 申请日: | 2011-09-08 |
公开(公告)号: | CN102990227A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 林武郎;石玉光;黄政礼;陈世敏;吕学礼;周明源;李居历;吴文弘 | 申请(专利权)人: | 技鼎股份有限公司 |
主分类号: | B23K26/38 | 分类号: | B23K26/38;B23K26/40 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人: | 刘俊;苏雪雪 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种单一波长多层雷射加工的方法,包含:切割材料定位步骤;雷射聚焦调整步骤,将雷射光聚焦在切割材料内部,并调整雷射光的聚焦点及在切割材料表面的照射面积,使切割材料表面的能量密度至少达到临界破坏能量密度;以及雷射加工步骤,以载台带动将切割材料依预设的切割路径移动,使雷射光至少在切割材料表面及切割材料内部同时形成切割道,且切割材料对该波长的雷射为透明或半透明材料,在此,以单一雷射系统完成多层切割道,能减少多次加工的误差及设备成本,又由于切割后的晶圆具有裂片准直性,能提升良率,使产品更具有市场竞争力。 | ||
搜索关键词: | 单一 波长 多层 雷射 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种单一波长多层雷射加工的方法,其特征在于,本方法包含:一切割材料定位步骤,将经过研磨抛光的一切割材料,定位于一雷射切割装置的一载台,且该载台能够依预设的一切割路径移动;一雷射聚焦调整步骤,将一雷射光聚焦在该切割材料的内部,并调整该雷射光的聚焦点及在该切割材料表面的照射面积,使在该切割材料表面的能量密度,至少达到一临界破坏能量密度;以及一雷射加工步骤,以该载台带动将该切割材料依预设的该切割路径移动,使得该雷射光至少在该切割材料表面及该切割材料内部同时形成一切割道,其中该切割材料对该波长的雷射为透明或半透明材料。
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