[发明专利]对一氧化氮具有选择性荧光响应的基于硅纳米线的传感器无效
| 申请号： | 201110266162.6 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102419319A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 师文生;苗荣;穆丽璇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米结构的荧光化学传感器领域，特别涉及对一氧化氮具有选择性荧光响应的基于硅纳米线的化学传感器及其制备方法和应用。本发明是将基于化学气相沉积法和化学刻蚀方法制备得到的硅纳米线和硅纳米线阵列进行表面处理，然后再用有机小分子物质氨基荧光素对其进行化学共价修饰，得到对一氧化氮具有选择性荧光响应的基于硅纳米线的化学传感器。本发明的对一氧化氮具有选择性荧光响应的基于硅纳米线的化学传感器可用于溶液及生物体系中一氧化氮的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一氧化氮 具有 选择性 荧光 响应 基于 纳米 传感器 | ||
【主权项】：
一种对一氧化氮具有选择性荧光响应的基于硅纳米线的化学传感器，其特征是：所述的基于硅纳米线的化学传感器是由3‑氨基丙基三乙氧基硅烷和硅纳米线或硅纳米线阵列反应得到的表面修饰有氨基的硅纳米线或硅纳米线阵列，与戊二醛反应得到表面修饰有醛基的硅纳米线或硅纳米线阵列，经还原修饰在硅纳米线或硅纳米线阵列上由醛基与氨基荧光素反应得到的氨基荧光素，得到表面修饰有作为对一氧化氮具有选择性荧光响应的还原态氨基荧光素的硅纳米线的化学传感器。
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