[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201110266383.3 | 申请日： | 2011-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102403205A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 大野博司 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 杨暄 |
| 地址： | 日本国东京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置的制造方法，包括下列步骤：对于形成有半导体集成电路的图案(30、40)的基板，将对用于退火而照射的光的吸收率为规定以下的区域定义为疏图案区域(100)，并在疏图案区域(100)上局部形成用于提高光吸收率的薄膜(60)。之后对形成有半导体集成电路图案(30、40)和薄膜(60)的基板照射光以进行退火。这样，不需要光源侧的微细的调整和改良，即可防止光退火时半导体集成电路中产生的温度不均导致的电路的劣化，提高半导体集成电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：对于形成有半导体集成电路的图案的基板，将对用于退火而照射的光的吸收率为规定以下的区域定义为疏图案区域，并在所述疏图案区域上局部形成用于提高光吸收率的薄膜；对形成有所述半导体集成电路的图案和所述薄膜的所述基板照射光以进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
