[发明专利]具有沟槽式栅极结构的功率组件及其制作方法

摘要

本发明公开一种具有沟槽式栅极结构的功率组件，其中栅极结构形成在一具有类波浪形侧壁的复合式沟槽中，功率组件包含：基底包，具有第一表面和第二表面，主体区具有第一导电型态设置于基底中，基极区具有第二导电型态设置在主体区中，阴极区具有第一导电型态设置于基极区中，阳极区具有第二导电型态设置于基底中，复合式沟槽设置于基底中并且复合式沟槽由第一表面延伸至主体区，其中复合式沟槽具有一类波浪形侧壁，栅极结构设置于复合式沟槽中以及累积区沿着类波浪形侧壁设置于主体区中。

主权项

具有沟槽式栅极结构的功率组件，其特征在于包括：基底，包第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；主体区，具有第一导电型态，设置在所述基底中；基极区，具有第二导电型态，设置在所述主体区中；阴极区，具有所述第一导电型态，设置在所述基极区中；阳极区，具有所述第二导电型态，设置在所述基底中，其中所述阳极区接近所述第二表面；一沟槽，设置在所述基底中并且所述沟槽由所述第一表面延伸至所述主体区，所述阴极区环绕所述沟槽，其特征在于所述沟槽具有一类波浪形侧壁；栅极结构，设置在所述沟槽中；以及累积区，沿着所述类波浪形侧壁设置于所述主体区中。