[发明专利]亚常压化学气相沉积法设备气化阀堵塞的检测方法有效
申请号: | 201110267096.4 | 申请日: | 2011-09-09 |
公开(公告)号: | CN103000514A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 成鑫华;严玮;程望阳 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;H01L21/205 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王函 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种亚常压化学气相沉积法设备气化阀堵塞的检测方法,包括如下步骤:1)记录腔体基准压力;2)设定载气流量为固定值,设定腔体压力为固定值,待载气流量稳定后,记录节流阀的位置A;3)将节流阀所开的位置设定在位置A上,保持载气流量为设定的固定值,腔体压力须在设定的固定值附近;4)分别流入TEOS液体流量,并记录腔体压力;5)计算各TEOS流量下腔体压力和腔体基准压力的差值;6)绘制TEOS流量和腔体压差的变化示意图,正常的TEOS流量和腔体压差变化为一条直线,由此判断不正常情况下的气化阀堵塞。本发明通过TEOS流量和腔体压力差的线性关系来检测气化阀的状况,可更高效及时地发现气化阀堵塞问题。 | ||
搜索关键词: | 常压 化学 沉积 设备 气化 堵塞 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种亚常压化学气相沉积法设备气化阀堵塞的检测方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)记录下腔体的基准压力;(2)设定载气流量为固定值,并设定腔体的压力为固定值,待载气流量稳定后,记录下节流阀的位置A;(3)将节流阀所开的位置设定在位置A上,保持载气流量为步骤(2)设定的固定值,此时腔体的压力必须在步骤(2)设定的固定值附近;(4)分别流入TEOS液体流量,并记录下腔体的压力;(5)计算出各个TEOS流量下的腔体压力和腔体基准压力的差值;(6)绘制TEOS流量和腔体压差的变化示意图,正常的TEOS流量和腔体的压差变化为一条直线且线性度比较好,而典型的不正常的变化线性度较低,由此可判断出不正常情况下的气化阀堵塞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110267096.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:单流程干式蒸发器
- 下一篇:高精度切割方槽定位夹具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造