[发明专利]半导体元件的冷却结构

摘要

本发明涉及半导体元件的冷却结构。基底板（110）在另一个主面具有朝向对置板的主面突出的多个散热用突出部（111）。基底板（110）的另一个主面与对置板的主面通过两个流道侧壁部（130A、130B）而连接，由此，形成在彼此之间具有多个散热用突出部（111）所在的冷却介质流道（190）的一部分即耐压区域（194）的冷却介质流道（190）的流入口（191）和流出口（192）。冷却介质流道（190）以如下方式形成：在连结流入口（191）和流出口（192）的方向上，在耐压区域（194）的中央部的基底板（110）上施加的静压比在耐压区域（190）的端部的基底板（110）上施加的静压低。由此，在半导体元件的冷却结构中，具有结构上的稳定性并有效地冷却半导体元件。

主权项

一种半导体元件的冷却结构，其特征在于，具有：基底板，在一个主面直接地或间接地接合有半导体元件；对置板，主面以与所述基底板的另一个主面隔开间隔地对置的方式配置，构成在与所述基底板之间形成的冷却介质流道的壁部的一部分；以及两个流道侧壁部，以将所述基底板与所述对置板连结的方式彼此隔开间隔地对置配置，并且成为所述冷却介质流道的壁部的一部分，所述基底板在所述另一个主面具有朝向所述对置板的所述主面突出的多个散热用突出部，所述基底板的所述另一个主面与所述对置板的所述主面通过所述两个流道侧壁部而连结，由此，形成在彼此之间具有所述多个散热用突出部所在的所述冷却介质流道的一部分即耐压区域的所述冷却介质流道的流入口和流出口，所述冷却介质流道以如下方式形成：在连结所述流入口和所述流出口的方向上，在所述耐压区域的中央部的所述基底板上所施加的静压比在所述耐压区域的端部的所述基底板上所施加的静压低。