[发明专利]腔室装置和具有该腔室装置的基片处理设备有效
申请号: | 201110267850.4 | 申请日: | 2011-09-08 |
公开(公告)号: | CN102994977A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 杨盟 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 贾玉姣 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种腔室装置,包括:限定有腔室的腔室本体;气体分布板,所述气体分布板设在腔室内以将腔室分割为上腔室和下腔室,上腔室具有进气口且下腔室具有出气口,气体分布板上设有将上腔室和下腔室连通的多个分配孔;和分布板衬板,所述分布板衬板设在腔室内且位于气体分布板下面,分布板衬板上设有多个通孔,分布板衬板的下表面上设有由第一半导体材料制成的第一覆盖层。根据本发明实施例的腔室装置,在用于化学气相沉积时,在分布板内衬上沉积的薄膜致密性和结合力都较好,薄膜不易崩落,因而不易引起颗粒污染,大大增加了维护周期。本发明还公开了一种具有上述腔室装置的基片处理设备。 | ||
搜索关键词: | 装置 具有 处理 设备 | ||
【主权项】:
一种腔室装置,其特征在于,包括:腔室本体,所述腔室本体内限定有腔室;气体分布板,所述气体分布板设在所述腔室内以将所述腔室分割为上腔室和下腔室,所述上腔室具有进气口且所述下腔室具有出气口,所述气体分布板上设有将所述上腔室和所述下腔室连通的多个分配孔;和分布板衬板,所述分布板衬板设在所述腔室内且位于所述气体分布板下面,所述分布板衬板上设有多个通孔,所述分布板衬板的下表面上设有第一覆盖层,所述第一覆盖层由第一半导体材料制成。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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