[发明专利]一种制备细晶粒变形铝合金半固态浆料的方法有效
申请号: | 201110268594.0 | 申请日: | 2011-09-12 |
公开(公告)号: | CN102294442A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 杨滨;甘贵生;贝舒瑜;梅晗;王西涛 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | B22D1/00 | 分类号: | B22D1/00;B22D17/20;C22C21/10 |
代理公司: | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人: | 朱元萍 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种制备细晶粒变形铝合金半固态浆料的方法,属于半固态铝合金浆料制备技术领域,其特征在于:将熔铸-原位合成陶瓷颗粒制备技术和低过热度浇注技术相结合,在变形铝合金熔体中原位合成一定量的亚微米级TiB2颗粒,作为异质形核核心,显著促进变形铝合金初生相的形核。通过低过热度浇注技术抑制枝晶的生长,结合利用简单的保温传送管道冷却和冲刷破碎树枝晶工艺,最终制备出细晶粒、高性能的变形铝合金。本发明的优点是流程短、操作简单、成本低、适用面广;不仅适用于难度较大的变形铝合金半固态浆料的制备,还可用于铸造铝合金,镁合金和其它合金体系半固态浆料的制备。原位合成陶瓷颗粒的添加还有利于提高材料的耐磨性。 | ||
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【主权项】:
一种制备细晶粒变形铝合金半固态浆料的方法,其特征在于:将熔铸‑原位合成陶瓷颗粒制备技术和低过热度浇注技术相结合,在变形铝合金熔体中原位合成一定量的亚微米级TiB2颗粒,作为异质形核核心,显著促进变形铝合金初生相的形核,通过低过热度浇注技术抑制枝晶的生长,结合利用简单的保温传送管道冷却和冲刷破碎树枝晶工艺,最终制备出细晶粒、高性能的变形铝合金;制备步骤为:(1)、选择铝合金体系,配制混合盐:按原子计量比Ti:B=1:2.2配比纯度高于97重量%的K2TiF6和纯度高于97重量%的KBF4混合盐;混匀并经350℃烘干;(2)、熔炼铝合金:将选定铝合金熔化并加热至800~850℃保温5‑15分钟使其均匀化;(3)、熔铸‑原位合成TiB2颗粒:当铝合金熔体温度为800~850℃时迅速加入上述一定量的K2TiF6和KBF4混合盐(生成TiB2质量占铝合金总质量3%~6%),用石墨搅拌器充分搅拌15分钟后再保温15分钟;(4)、扒渣、精炼和除气:将步骤(3)所述复合材料熔体降温至720℃,扒除表面残渣,进行常规的铝合金精炼除气;(5)、低温浇注:将步骤(4)所述复合材料熔体降到液相线以上15℃~50℃,直接将熔体通过内径Ф15~25mm,外径Φ=80~100mm,高度350~500mm一弯道或者二弯道的石墨保温管道后水淬或经压铸、挤压成形;石墨保温管道保温温度为300℃~600℃。
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