[发明专利]一种钴掺杂钆钡铜氧超导薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110269278.5 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102424575A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 王文涛;赵勇;杨新福;蒲明华;张勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/45 | 分类号： | C04B35/45;C04B35/622 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种钴掺杂钆钡铜氧超导薄膜的制备方法，其具体作法是：a、无氟前驱溶液制备：将乙酸钆、乙酸钡、乙酸铜及乙酸钴，按钆∶钡∶铜∶钴的化学计量比1∶2∶3-X∶X，0.0003≤X≤0.008的比例溶解于丙酸中，得前驱溶液；b、在a步的前驱溶液中，加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，得到无氟涂层胶体；c、涂敷及干燥在基片上形成薄膜；d、将c步的制得的带薄膜基片进行分解热处理后再进行成相热处理，即得。该方法成本低廉、工艺简单，对环境无污染，适合于大规模工业化生产；该方法制得的Co掺杂的GdBCO超导薄膜具有高度双轴织构，表面平整、致密，在磁场下的临界电流密度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 钆钡铜氧 超导 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钴掺杂钆钡铜氧超导薄膜的制备方法，其具体作法是：a、无氟前驱溶液制备：将乙酸钆、乙酸钡、乙酸铜及乙酸钴，按钆∶钡∶铜∶钴的化学计量比1∶2∶3‑X∶X，0.0003≤X≤0.008的比例溶解于丙酸中，得前驱溶液；b、无氟涂层胶体制备：在a步制得的前驱溶液中，加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛，加入的聚乙烯醇缩丁醛与前驱溶液的质量比为2‑8∶100，充分搅拌，得到涂层胶体；c、涂敷及干燥：将b步制备的涂层胶体涂敷于基片上，在基片上形成薄膜，100‑200℃下干燥，时间5‑20分钟；d、热分解处理与成相热处理：将干燥后的带薄膜基片进行热分解处理后再进行成相热处理，即得。
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