[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110270585.5 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103000515A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 任万春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L45/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据该方法，在台阶状的底电极材料层上沉积了停止层，然后通过高深宽比工艺沉积绝缘材料层。先执行第一化学机械抛光工艺至所述停止层。再执行第二化学机械抛光工艺，以去除所述底电极材料层的上部水平部分。然后，在底电极材料层的垂直部分上方形成相变材料以形成相变元件。通过设置停止层，将化学机械抛光工艺分为两个阶段。因此在对底电极材料层进行的第二化学机械抛光工艺过程中，能够精确控制抛光过程，避免底电极过多不必要的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成台阶状的底电极材料层，所述底电极材料层具有上部水平部分、垂直部分和下部水平部分；沉积停止层；沉积绝缘材料层；执行第一化学机械抛光工艺至所述停止层；执行第二化学机械抛光工艺，以去除所述底电极材料层的上部水平部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
