[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201110270958.9 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103000504A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有包括伪栅区的栅极结构以及源漏区；去除所述伪栅区，以暴露半导体衬底，并刻蚀暴露的半导体衬底，在暴露的半导体衬底上形成锯齿状表面，以形成底部为锯齿状的开口，所述锯齿状表面的锯齿沿着伪栅区宽度的方向交替；在锯齿状表面上形成填满所述开口的替代栅区，所述替代栅区的底部为锯齿状。由于替代栅区形成在沿伪栅区宽度的锯齿状表面的半导体衬底上，同半导体衬底的接触也为锯齿状的，这样，在并未增加栅区宽度的情况下，大大地增加了栅区的有效宽度，从而提高了器件的集成度及性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有包括伪栅区的栅极结构以及源漏区；去除所述伪栅区，以暴露半导体衬底，并刻蚀暴露的半导体衬底，在暴露的半导体衬底上形成锯齿状表面，以形成底部为锯齿状的开口，所述锯齿状表面的锯齿沿着伪栅区宽度的方向交替；在锯齿状表面上形成填满所述开口的替代栅区，所述替代栅区的底部为锯齿状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
