[发明专利]一种N型晶体硅太阳能电池无效
| 申请号： | 201110271642.1 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102290450A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 郑分刚;曹大威;王春燕;沈明荣 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池，包括N型硅片、设于N型硅片上的扩散层，所述扩散层上依次设有第一钝化层和第二钝化层，构成双层结构；所述第一钝化层为PZT薄膜层，其厚度为10~100nm；所述第二钝化层为透明导电的氧化物薄膜层，其厚度为40~90nm。本发明降低了硅片上表面的复合率和电极复合率，提高了太阳能电池的光谱响应，尤其是长波长的光谱响应，提高了太阳能电池的短路电流及开路电压，从而达到提升太阳能电池的光电转换效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种N型晶体硅太阳能电池，包括N型硅片(3)、设于N型硅片上的扩散层(4)，其特征在于：所述扩散层上依次设有第一钝化层和第二钝化层，构成双层结构；所述第一钝化层为PZT薄膜层(1)，其厚度为10~100 nm；所述第二钝化层为透明导电的氧化物薄膜层(2)，其厚度为40~90 nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
