[发明专利]成膜方法和成膜装置无效
| 申请号： | 201110272097.8 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102306627A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 松本贤治;伊藤仁;根石浩司;小池淳一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/28;H01L21/768;C23C16/18;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体和含Cu原料气体以及含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含CuMn合金膜薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种成膜方法，其特征在于：在能够抽真空的处理容器内，使用含有Mn的含有机金属原料气体、含有铜的含铜原料气体和H2O水蒸气，通过热处理在被处理体的表面形成CuMn合金的薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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