[发明专利]MEMS器件的薄膜制造方法

摘要

本发明提供一种MEMS器件的薄膜制造方法，包括步骤：提供{111}方向的硅基底，其上形成有多个凹槽，凹槽具有第一深度；在凹槽的侧壁形成侧壁保护层；刻蚀凹槽，形成多个深槽，相比凹槽加深第二深度；湿法腐蚀深槽，在硅基底内形成腔体；将凹槽填充，形成封闭的腔体和厚度等于第一深度的薄膜；其中，多个凹槽的窗口之间的最大行间距和最大列间距的计算公式为：其中，d1为多个凹槽的窗口的最大行间距，d2为多个凹槽的窗口的最大列间距，h2为深槽对凹槽加深的第二深度，b为薄膜垂直于版图平边<110>方向的尺寸。本发明基于精确控制膜厚的钻蚀加工工艺，提出了一套相应的版图设计方法，采用最少的窗口图形来完成薄膜和腔体的制作。

主权项

1.一种MEMS器件的薄膜制造方法，包括步骤：提供{111}方向的硅基底(101)，其上形成有多个凹槽(104)，所述凹槽(104)具有第一深度(h1)；在多个所述凹槽(104)的侧壁形成侧壁保护层(105)；进一步刻蚀多个所述凹槽(104)，在所述硅基底(101)中形成多个深槽(106)，所述深槽(106)相比所述凹槽(104)加深第二深度(h2)；采用湿法腐蚀法腐蚀多个所述深槽(106)，在所述硅基底(101)内部形成腔体(107)；采用填充材料(108)将多个所述凹槽(104)完全填充，形成封闭的腔体(107)和厚度等于所述第一深度(h1)的薄膜；其中，多个所述凹槽(104)的窗口(103)之间的最大行间距(d1)和最大列间距(d2)的计算公式如下：d1=h2×(2/4),d2=b×(3/3)]]>其中，d1为多个所述凹槽(104)的窗口(103)的最大行间距，d2为多个所述凹槽(104)的窗口(103)的最大列间距，h2为多个所述深槽(106)对多个所述凹槽(104)加深的第二深度，b为所述薄膜垂直于版图平边<110>方向的尺寸。