[发明专利]敏感光阻耐受程度检测方法及晶圆缺陷检验方法有效
| 申请号： | 201110272691.7 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102435547A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 王恺;陈宏璘;倪棋梁;龙吟;郭明升;朱陆军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N17/00 | 分类号： | G01N17/00;G01N21/88 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的一种敏感光阻耐受程度检测方法：将敏感光阻置于试验片上并建立深紫外光源扫描程式；扫描选定测试扫描区域并检查敏感光阻图形是否发生变化；如变化，则记录深紫外光源程式对所选区域的扫描次数。一种晶圆缺陷检验的方法：得到敏感光阻的最大耐受扫描次数；调整扫描次数小于敏感光阻的最大耐受扫描次数。本发明通过测定敏感光阻被深紫外光源扫描的最大耐受次数从而检测出了敏感光阻对该深紫外光的耐受程度。并进一步通过控制对该区域的扫描次数以控制深紫外光受光量，防止敏感光阻损坏，保证了图形尺寸的完好，方法简单，易于实行。 | ||
| 搜索关键词： | 敏感 耐受 程度 检测 方法 缺陷 检验 | ||
【主权项】：
一种敏感光阻耐受程度检测方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，将敏感光阻置于试验片中，并建立对其的深紫外光源扫描程式； 步骤2，选定测试扫描区域； 步骤3，对选定区域扫描；步骤4，检查敏感光阻图形是否发生变化；步骤5，如敏感光阻图形无变化，则继续扫描，如有变化，则记录深紫外光源程式对所选区域的扫描次数； 步骤6，将步骤4所得扫描次数记录为所述敏感光阻的最大耐受扫描次数。
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