[发明专利]表面发射激光器、阵列、光学扫描装置和成像设备无效

专利信息
申请号: 201110273300.3 申请日: 2009-05-13
公开(公告)号: CN102324695A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 石井稔浩;牧田宪吾;轴谷直人;原坂和宏;佐藤俊一;菅原悟 申请(专利权)人: 株式会社理光
主分类号: H01S5/18 分类号: H01S5/18;G03G15/04;H01S5/42
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王冉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了表面发射激光器、阵列、光学扫描装置和成像设备,其中所述表面发射激光器包括衬底和堆叠在衬底上的多层半导体层。衬底的主平面的法线相对于其中一个晶体取向<100>朝向其中一个晶体取向<111>倾斜。所述半导体层包括:谐振器结构,其包括有源层;和半导体多层镜,其堆叠在谐振器结构上。半导体多层镜包括限制结构,其中电流通过区域由包括至少氧化物的氧化区域围绕,该氧化物通过氧化包含铝的选择性氧化层的一部分产生。由氧化所致的应变场存在于至少氧化区域附近的一部分中。在应变场中,在第一轴方向的应变量不同于在第二轴方向的应变量。
搜索关键词: 表面 发射 激光器 阵列 光学 扫描 装置 成像 设备
【主权项】:
一种表面发射激光器,包括:衬底,其具有主平面,所述主平面的法线相对于其中一个晶体取向<100>朝向其中一个晶体取向<111>倾斜,其中所述表面发射激光器配置成在垂直于所述衬底的方向发光;以及堆叠在所述衬底上的多层半导体层,所述半导体层包括谐振器结构,该谐振器结构包括有源层,以及半导体多层镜,该半导体多层镜堆叠在所述谐振器结构上并包括限制结构,其中电流通过区域由包括至少氧化物的氧化区域围绕,该氧化物通过氧化包含铝的选择性氧化层的一部分所产生,其中由所述氧化所致的应变场至少在围绕所述电流通过区域的所述氧化区域附近的一部分中存在;以及在所述应变场中,在平行于所述衬底的表面且垂直于所述其中一个晶体取向<100>和所述其中一个晶体取向<111>二者的第一轴方向上的应变量不同于在垂直于所述法线和所述第一轴方向二者的第二轴方向上的应变量。
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