[发明专利]超低介电常数薄膜铜互连的制作方法有效
| 申请号： | 201110274496.8 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102420179A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 陈玉文;黄晓橹;谢欣云 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超低介电常数薄膜铜互连的制作方法，该种制作方法在超低介电常数薄膜上覆盖低介电常数保护膜，而后采用光刻、刻蚀，形成贯通低介电常数保护膜和超低介电常数薄膜的通孔和/或沟槽，在通孔和/或沟槽内溅射沉积金属势垒层和铜的籽晶层，采用电镀工艺进行铜填充淀积，形成铜的互连层。由于采用低介电常数保护膜，从而减少了多孔的超低介电常数薄膜在化学机械研磨中产生的缺陷，增强了低介电常数保护膜与下一步铜互连的刻蚀停止层的粘贴力，避免了在后续封装中的诱导应力引起热机械失效，同时改善了可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 薄膜 互连 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超低介电常数薄膜铜互连的制作方法，包括以下步骤：在硅片上沉积刻蚀停止层，在刻蚀停止层上沉积超低介电常数薄膜和低介电常数保护膜；采用光刻、刻蚀工艺，形成贯通低介电常数保护膜和超低介电常数薄膜的通孔和/或沟槽；在通孔和/或沟槽内溅射沉积金属势垒层和铜的籽晶层，采用电镀工艺进行铜填充淀积，化学机械研磨停止在低介电常数保护膜上，形成铜的互连层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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