[发明专利]MOCVD设备和利用该MOCVD形成白光LED的方法无效
申请号: | 201110274573.X | 申请日: | 2011-09-15 |
公开(公告)号: | CN102994983A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 张秀川;徐亚伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;H01L33/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出一种MOCVD设备包括本体;分别形成在所述本体中的第一至第五反应腔室,所述第一至第五反应腔室分别用于在晶片上形成第一至第五半导体材料层,其中所述第一至第五半导体材料层和所述晶片组合以形成白光LED;晶片装卸装置,所述晶片装卸装置用于临时存放晶片;和传输装置,所述传输装置设在所述本体内用于在所述第一至第五反应腔室以及所述晶片装卸装置之间传输晶片。根据本发明的MOCVD设备,成本低、产能效率高。本发明还提出一种形成白光LED的方法。 | ||
搜索关键词: | mocvd 设备 利用 形成 白光 led 方法 | ||
【主权项】:
一种MOCVD设备,其特征在于,包括:本体;第一至第五反应腔室,所述第一和第五反应腔室分别形成在所述本体中,所述第一反应腔室用于在晶片上形成第一半导体材料层,所述第二反应腔室用于在所述第一半导体材料层上形成第二半导体材料层,所述第三反应腔室用于在所述第二半导体材料层上形成第三半导体材料层,所述第四反应腔室用于在所述第三半导体材料层上形成第四半导体材料层,所述第五反应腔室用于在所述第四半导体材料层上形成第五半导体材料层,其中所述第一至第五半导体材料层和所述晶片组合以形成白光LED;晶片装卸装置,所述晶片装卸装置用于临时存放晶片;和传输装置,所述传输装置设在所述本体内用于在所述第一至第五反应腔室以及所述晶片装卸装置之间传输晶片。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的