[发明专利]金属铜大马士革互联结构的制造方法

摘要

本发明提出一种金属铜大马士革互联结构的制造方法，包括如下步骤：在金属介电层中预先制作第一通孔和第一沟槽，并在金属介电层上由下至上依次沉积蚀刻阻挡层、牺牲层、硬掩膜层、金属硬掩膜层、第一抗反射涂层、对应于第一沟槽的图形化的第一光刻胶；在后段互联金属工艺整合中形成双大马士革结构；在双大马士革结构中采用非氧化性酸去除蚀刻阻挡层之上的牺牲层；采用旋涂工艺将蚀刻阻挡层上方除金属铜之外的区域重新填满低介电常数材料，形成金属铜大马士革互联结构。本发明提供了一种金属铜大马士革互联结构的制造方法，以杜绝干法蚀刻和/或灰化工艺等在传统工艺中导致的低介电常数的损伤。

主权项

一种金属铜大马士革互联结构的制造方法，包括如下步骤：在金属介电层中预先制作的第一通孔和第一沟槽中采用电镀工艺形成电镀铜，并在金属介电层表面上由下至上依次沉积蚀刻阻挡层、牺牲层、硬掩膜层、金属硬掩膜层、第一抗反射涂层、对应于所述第一沟槽的图形化的第一光刻胶；以第一光刻胶为掩膜，采用干法蚀刻由上至下依次蚀刻第一抗反射涂层、金属硬掩膜层，蚀刻停留在硬掩膜层，通过灰化工艺去除第一光刻胶和第一抗反射涂层；在暴露出的硬掩膜层以及金属硬掩膜层之上依次沉积第二抗反射涂层、对应于所述第一通孔的图形化的第二光刻胶；以第二光刻胶为掩膜采用干法蚀刻到牺牲层中，形成第二通孔；采用灰化工艺去除第二光刻胶和第二抗反射涂层，暴露出金属硬掩膜层；以金属硬掩膜层为掩膜，蚀刻硬掩膜层和部分牺牲层，形成第二沟槽，同步蚀刻第二通孔下方的牺牲层，形成第三通孔；采用干法蚀刻去除第三通孔内的蚀刻阻挡层，暴露出所述第一通孔中的铜后停止蚀刻，形成第四通孔；采用电镀工艺在第四通孔和第二沟槽中进行金属铜填充以形成金属互联层；采用化学机械掩膜工艺去除金属硬硬膜层和硬掩膜层；采用非氧化性酸去除蚀刻阻挡层之上的牺牲层；采用旋涂工艺将蚀刻阻挡层上方除金属铜之外的区域重新填满低介电常数材料，形成金属铜大马士革互联结构。