[发明专利]各向异性导电薄膜生产设备

摘要

本发明公开了一种各向异性导电薄膜生产设备，包括作为磁轭的机架，固定于机架上的上、下磁极，上、下磁极至少有一个是相对机架可上下活动的，上、下磁极上缠绕有励磁线圈，上、下磁极之间压固有各向异性导电薄膜的成型模具；该生产设备还包括励磁线圈的供电装置，所述的供电装置包括可控硅构成的整流电路，用于控制可控硅导通角的计算机控制器；计算机控制器在相应软件支持下，按照设定的电流函数I=I（t）对可控硅整流电路的输出电流实现连续控制。电流函数I=I（t）保证了磁场变换曲线接近矩形波，满足了薄膜内部导电物质磁场取向的要求，使得该设备生产出可供实际应用的各向异性导电薄膜。该生产设备结构简单，操作方便。

主权项

1.一种各向异性导电薄膜生产设备，其特征在于包括作为磁轭的机架（1），固定于机架上的上、下磁极（2），上、下磁极至少有一个是相对机架可上下活动的，上、下磁极上缠绕有励磁线圈（3），上、下磁极之间压固有各向异性导电薄膜的成型模具（4），所述成型模具由上模和下模构成；该生产设备还包括励磁线圈的供电装置（8），所述的供电装置包括可控硅构成的整流电路，用于控制可控硅导通角的计算机控制器，其中计算机控制器的信号输入端连接有置于两磁极间的磁场强度传感器（6）和连接于励磁线圈供电回路中的电流传感器（7）；计算机控制器在相应软件支持下，按照设定的电流函数I=I（t）对可控硅整流电路的输出电流实现连续控制；所述电流函数I=I（t）的具体表达式为：其中: I₀=励磁饱和电流；I_m=为大于励磁饱和电流值的设定电流值；B（t）=为磁场强度传感器采集的并传输给计算机控制器的实时磁场强度；B₀=饱和磁场强度；T₁为磁场上升时间段，即磁场从0上升至最大值的时间段；T₂为磁场维持时间段，即磁场最大值的保持时间段；T₃为磁场下降时间段，即磁场从最大值下降至零的时间段；其中设定电流I_m是采用如下方法确定的：任意给定一个设定电流值，计算机控制器在相应软件支持下，按照设定的电流函数I=I（t）对可控硅整流电路的输出电流实现连续控制，在示波器上观察此时励磁线圈所建磁场的波形，当磁场波形中磁场上升时间段T₁小于等于3秒时，此时对应的设定电流值就是选定值；该设备还包括各向异性导电薄膜的固化装置。