[发明专利]基于深度塑性变形工艺的聚变堆面向等离子体钨基材料无效
| 申请号： | 201110276280.5 | 申请日： | 2011-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102337487A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 罗广南;刘凤;李强;周海山;王万景;刘伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | C22F1/18 | 分类号： | C22F1/18 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于深度塑性变形工艺的聚变堆面向等离子体钨基材料的制备。通过将能制备块体超细晶/纳米晶金属的深度塑性变形工艺引入到聚变堆钨基面向等离子体材料的制备领域，从而细化粗晶钨基材料，获得块状超细晶/纳米晶钨；铼、钾、稀土氧化物、碳化物等的微量选择添加能提高材料的再结晶温度和可能进一步降低再结晶温度，从而提高钨基材料的综合性能。该新材料不仅致密度高、氧含量低，而且改善了粗晶钨基材料的脆化性能、抗强热流加载和高通量等离子体辐照等综合性能，适合作为面向等离子体材料在以氘/氚为燃料、长脉冲稳态运行的聚变示范堆和商业堆中广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 深度 塑性变形 工艺 聚变 面向 等离子体 基材 | ||
【主权项】：
基于深度塑性变形工艺的聚变堆钨基面向等离子体材料，其特征在于：将深度塑性变形工艺用于制备聚变堆钨基面向等离子体材料，利用等通道角挤压法或者高压扭转法对粗晶钨进行处理，制备得超细晶/纳米晶钨。
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