[发明专利]一种用于半导体外延系统的基座有效
申请号: | 201110276973.4 | 申请日: | 2011-09-19 |
公开(公告)号: | CN102347258A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 李燮;陆羽;刘鹏;袁志鹏;赵红军;张俊业;张国义;孙永健 | 申请(专利权)人: | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/205;C30B25/12;C30B23/02 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 谭一兵 |
地址: | 523500 *** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于半导体外延系统的基座,机械传动方式实现基座的公转、气动旋转方式实现衬底的自转,并结合机械手实现基座整体的升降。本发明包含有大盘、小盘,大盘内部设有辐射状的内部气路通道,大盘的内部气路通道连通小盘,支撑杆内的内部气道连通大盘内部辐射状的内部气路通道,支撑杆中部设有金属法兰,金属法兰的中心设有磁流体组件,撑杆延伸出金属法兰的部分固定有一从动轮,从动轮一侧等高的位置设有主动轮,靠近支撑杆尾端的位置设有轴承组件,支撑杆的尾端设有进气组件,进气组件由轴承组件、B套管和气体入口组成。本发明的设计可以节约反应的原料、提高薄膜的均匀性;基座结构简单、可靠。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 外延 系统 基座 | ||
【主权项】:
一种用于半导体外延系统的基座,具有双重旋转和升降功能的基座,包含有:大盘(2)、小盘(1),其特征在于:所述大盘(2)内部设有辐射状的内部气路通道(23),所述大盘(2)上设有3个以上小盘(1),所述小盘(1)的下部设有扇叶(21),所述大盘(2)的内部气路通道(23)连通小盘(1),所述大盘(2)中心连接支撑杆(4),所述支撑杆(4)内设有内部气道(41),所述支撑杆(4)的内部气道(41)连通大盘(2)的内部气路通道(23),所述支撑杆(4)中部设有金属法兰(5),所述金属法兰(5)的中心设有磁流体组件(24),所述磁流体组件(24)包含磁流体轴承(18)和磁流体磁铁(19),所述磁流体组件(24)内部设有A套管(12),所述A套管(12)的内部设有中空的支撑杆(4),所述支撑杆(4)上位于金属法兰(5)之下设有一从动轮(10),所述从动轮(10)一侧等高的位置设有主动轮(9),所述主动轮(9)安装在伺服电机(8)的顶端,所述支撑杆(4)的尾端设有进气组件,所述进气组件由轴承组件(15)、B套管(17)和气体入口(16)组成,所述轴承组件(15)包括轴承和轴承固定件(13),所述轴承固定件(13)与支撑杆(4)固定在一起,所述轴承的外部设有机械手支架(11),所述进气组件连接机械手支架(11)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市中镓半导体科技有限公司,未经东莞市中镓半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110276973.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:磁阻存储器的形成方法
- 下一篇:热敏电阻料带插针移动机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造