[发明专利]功率半导体装置

摘要

一种功率半导体装置，在第一导电型的第一半导体层(1)的第一表面上，相邻接地包括第一柱区域(6)、第二柱区域(10)、及第一导电型的外延层(3)。第一柱区域(6)具有交替配置的多个第二导电型的第一柱层(4)及多个第一导电型的第二柱层(5)，多个第二导电型的第一基极层(11)相隔开地连接在多个第一柱层(4)的各个之上。第二柱区域(10)相邻接地具有第二导电型的第三柱层(7)、第一导电型的第四柱层(8)、及第二导电型的第五柱层(9)。多个第二导电型的第二基极层(12)相隔开地连接在第三柱层及第五柱层的各个之上。多个源极层选择性地形成在多个第一基极层各自的表面。

主权项

一种功率半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型的第一半导体层，具有第一表面；第一柱区域，在所述第一半导体层的所述第一表面上，将多个第二导电型的第一柱层与多个第一导电型的第二柱层沿着与所述第一表面平行的第一方向交替地重复配置而构成；第二柱区域，在所述第一半导体层的所述第一表面上，沿着所述第一方向而与所述第一柱区域的所述第二柱层相邻接，且包含柱组及第二导电型的第五柱层，所述柱组包含至少一个第二导电型的第三柱层、及沿着所述第一方向而与所述第三柱层相邻接的第一导电型的第四柱层，所述第二导电型的第五柱层沿着所述第一方向而与所述柱组相邻接；第一导电型的外延层，在所述第一半导体层的所述第一表面上，沿着所述第一方向而与所述第二柱区域相邻接，且第一导电型杂质浓度比所述第二柱层低；多个第二导电型的第一基极层，电连接在所述多个第一柱层的各个之上，且以彼此隔开的方式设置；多个第二导电型的第二基极层，电连接在所述第三柱层及所述第五柱层的各个之上，且以彼此隔开的方式设置；第二导电型的第三基极层，在所述外延层的表面，以与所述多个第二基极层中连接在所述第五柱层上的第二基极层相隔开地相邻的方式设置；多个第一导电型的源极层，选择性地形成在所述多个第一基极层各自的表面，且第一导电型杂质浓度比所述外延层高；第一栅电极，隔着第一栅极绝缘膜而设置在所述多个第一基极层中相邻的第一基极层的各个之上、所述多个源极层中形成在所述相邻的第一基极层上的源极层上、及所述第二柱层上；第二栅电极，隔着第二栅极绝缘膜而设置在所述多个第二基极层中相邻的第二基极层的各个之上、及所述第四柱层上；第三栅电极，隔着第三栅极绝缘膜而设置在所述第三基极层、及连接在所述第五柱层上的所述第二基极层的各个之上；第一电极，电连接地设置在所述第一半导体层的与所述第一表面为相反侧的表面；以及第二电极，与所述源极层、所述第一基极层、所述第二基极层、及所述第三基极层的各个电连接。