[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201110279493.3 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102637661A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 沈锡辅;尹锡彻 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H03L7/08 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括：封装衬底，具有设置在所述封装衬底的第一表面上的多个外部连接端子、以及设置在所述封装衬底的第二表面上并与所述外部连接端子中的相应一个电连接的多个内部连接端子；第一半导体芯片，层叠在所述封装衬底的所述第二表面之上，且具有用于提供第一信息的第一标志焊盘、以及用于响应于从第一标志焊盘提供的第一信息而将参数调整第一校正值的第一内部电路；以及第二半导体芯片，层叠在所述第一半导体芯片之上，且具有用于提供第二信息的第二标志焊盘、以及用于响应于从第二标志焊盘提供的第二信息而将参数调整第二校正值的第二内部电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：至少一个标志焊盘，所述至少一个标志焊盘被配置为提供关于半导体芯片的层叠顺序的芯片层叠信息；以及内部电路，所述内部电路被配置为响应于从所述标志焊盘提供的所述芯片层叠信息中的至少一个来调整所述半导体器件的参数。
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