[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110280356.1 | 申请日： | 2011-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103022113A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘坤;张帅 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管结构的制造方法，包括：在器件的N体区注入P型杂质；利用硬掩模版制作沟槽；进行带角度的N型杂质注入，将N型杂质注入到沟槽侧壁中；对沟槽区域栅氧化，并利用此热过程完成对N型杂质的激活和推进，实现对沟道区净掺杂浓度的调节，满足阈值要求；在沟槽中填充栅电极材料，形成栅电极；重掺杂注入N型杂子形成N+发射区，引出发射极以及集电极。本发明还公开了一种绝缘栅双极晶体管结构。本发明的制造方法采用一次P型杂质注入，一次带角度N型杂质注入，能达到沟槽绝缘栅双极晶体管闩锁与阈值电压平衡，本发明的制造方法能降低绝缘栅双极晶体管的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极晶体管结构，其具有P+集电区、N体区、沟槽、沟道区、P体区、N+发射区和发射极；所述N体区位于P+集电区上方，所述沟道区紧靠N+发射区下部边界位于P体区和沟槽之间，所述N+发射区紧靠P体区上部边界与沟槽和发射极相连，其特征在于：所述沟道区具有非均匀分布的N型杂质，其浓度自沟槽侧壁向远离沟槽侧壁方向逐渐降低。
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