[发明专利]一种LED器件及其LED模组器件有效
申请号: | 201110281070.5 | 申请日: | 2011-09-21 |
公开(公告)号: | CN102290524A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 何贵平;许朝军;陈海英;周玉刚 | 申请(专利权)人: | 晶科电子(广州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64;H01L33/60;H01L25/075 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 罗毅萍 |
地址: | 511458 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于LED技术领域,具体公开了一种LED器件及其LED模组器件。本发明LED器件,包括基板、以及倒装在基板上的多个LED芯片,其基板的绝缘层采用类金刚石膜(DLC)或金刚石膜制得,在基板的P区金属电极层和N区金属电极层的上表面、以及P区金属电极层和N区金属电极层之间设置有第一散热层,第一散热层同样采用类金刚石膜(DLC)或金刚石膜制得,在所述第一散热层的上表面、或者在LED芯片的P型氮化镓的下表面设置有一高反射层。将前述LED器件经过封装即得本发明的LED模组器件。本发明通过材料和结构的改进获得了更好的散热性能、以及发光效率,适应了LED的发展要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 器件 及其 模组 | ||
【主权项】:
一种LED器件,包括基板、以及倒装在所述基板上的多个LED芯片,所述基板包括金属基底、生长在所述金属基底上表面的绝缘层、以及生长在所述绝缘层上的金属电极层,所述金属电极层包括相互独立的P区金属电极层和N区金属电极层,其特征在于:所述绝缘层采用类金刚石膜(DLC)或金刚石膜制得;在所述P区金属电极层和N区金属电极层的上表面、以及所述P区金属电极层和N区金属电极层之间设置有第一散热层,所述第一散热层同样采用类金刚石膜(DLC)或金刚石膜制得;在所述第一散热层的上表面、或者在LED芯片的P型氮化镓的下表面设置有一高反射层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶科电子(广州)有限公司,未经晶科电子(广州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110281070.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。