[发明专利]一种提高n型氧化亚铜薄膜载流子浓度的热处理方法无效
| 申请号： | 201110281222.1 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102321901A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王龙成;曾红春;杨静静;金达莱;席珍强 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25D5/50 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高n型氧化亚铜薄膜载流子浓度的热处理方法。该方法的步骤如下：将电化学沉积制备所得的n型氧化亚铜薄膜放入热处理炉中进行除碳；将热处理炉温度升高至120ºC至150ºC，保温1~2小时；除碳过程后，将热处理炉温度升至300ºC至400ºC，保温1~2小时；热处理后，热处理炉温度自然降温至常温，将n型氧化亚铜薄膜取出并进行测试。本发明是对电化学沉积的n型氧化亚铜薄膜进行先除碳，再热处理的方法。通过除碳过程，可以去除在沉积过程中n型氧化亚铜薄膜中的有机杂质，然后对氧化亚铜薄膜进行热处理，通过控制热处理温度与时间，提高n型氧化亚铜薄膜载流子浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氧化亚铜 薄膜 载流子 浓度 热处理 方法 | ||
【主权项】：
一种提高n型氧化亚铜薄膜载流子浓度的热处理方法，其特征在于该方法的步骤如下：1) 将电化学沉积制备所得的n型氧化亚铜薄膜放入热处理炉中进行除碳；2) 将热处理炉温度升高至120 ºC至150 ºC，保温1~2小时；3) 除碳过程后，将热处理炉温度升至300 ºC至400 ºC，保温1~2小时;4) 热处理后，热处理炉温度自然降温至常温，将n型氧化亚铜薄膜取出并进行测试。
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