[发明专利]减小了叠加失准的直接接合方法有效
| 申请号： | 201110281229.3 | 申请日： | 2011-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102412122A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | M·波卡特;格维塔兹·戈丹;阿诺德·卡斯泰 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;吕俊刚 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种减小了叠加失准的直接接合方法。具体来说，一种将在接合之前具有本征曲率(K1)的第一晶圆(100)直接接合至在接合之前具有本征曲率(K2)的第二晶圆(200)的方法，两个晶圆中的至少一个(100)包括至少一系列的微组件(110)。所述方法包括使两个晶圆(100、200)彼此接触以在两个晶圆之间开始传播接合波的至少一个步骤。在接触步骤期间，根据包括一系列微组件(110)的晶圆(100)的接合之前的本征曲率(K1)将旋转抛物面形式的预定接合曲率(KB)施加在两个晶圆中的一个上，另一晶圆自由地顺应于所述预定接合曲率(KB)。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 叠加 失准 直接 接合 方法 | ||
【主权项】：
一种用于将在接合之前具有本征曲率(K1)的第一晶圆(100)直接接合至在接合之前具有本征曲率(K2)的第二晶圆(200)的方法，这两个晶圆中的至少一个(100)包括至少一系列的微组件(110)，所述方法包括使两个晶圆(100、200)彼此接触以在这两个晶圆之间开始传播接合波的至少一个步骤，所述方法的特征在于，在接触步骤期间，将旋转抛物面形式的预定接合曲率(KB)施加在这两个晶圆中的一个上，另一个晶圆自由地顺应于所述预定接合曲率(KB)，其中，所述预定接合曲率至少取决于包括一系列微组件(110)的晶圆(100)的接合之前的本征曲率(K1)。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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