[发明专利]用于制造结构元件的方法和具有结构元件的半导体器件

摘要

本发明涉及用于制造结构元件的方法和具有结构元件的半导体器件。根据本发明的方法具有如下特征：提供具有表面的半导体本体；在表面处产生凹进部，其中凹进部从半导体本体的表面在垂直于表面的方向上延伸到半导体本体中并且具有底部和至少一个侧壁；在表面上和在凹进部中产生第一辅助层，使得第一辅助层在凹进部上方构造槽，其中槽具有槽底部和对于半导体本体的表面有在20°到80°的范围中的角度α的至少一个槽侧壁；在槽内部在槽底部处和在至少一个槽侧壁处产生第二辅助层，其中第一辅助层和第二辅助层在相同的表面水平上构造共同的表面并且第二辅助层由不同于第一辅助层的材料制造；以及选择性去除第一辅助层的未被第二辅助层覆盖的区域。

主权项

一种用于在半导体本体的表面上制造结构元件的方法，其具有如下特征：‑ 提供具有表面（11）的半导体本体（10），‑ 在表面（11）处产生凹进部（12），其中凹进部（12）从半导体本体（10）的表面（11）在垂直于表面（11）的方向上延伸到半导体本体（10）中，其中凹进部（12）具有底部（13）和至少一个侧壁（14），‑ 在表面（11）上和在凹进部（12）中产生第一辅助层（15），使得第一辅助层（15）在凹进部（12）上方构造槽（16），其中槽（16）具有槽底部（17）和至少一个槽侧壁（18），所述至少一个槽侧壁（18）对于半导体本体（10）的表面（11）有在20°到80°的范围中的角度α，‑ 在槽（16）内部在槽底部（17）处和在至少一个槽侧壁（18）处产生第二辅助层（20），其中第一辅助层（15）和第二辅助层（20）在相同的表面水平上构造共同的表面（21）并且其中第二辅助层（20）由不同于第一辅助层（15）的材料制造，以及‑ 选择性地将第一辅助层（15）的未被第二辅助层（20）覆盖的区域去除。