[发明专利]多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体无效
申请号: | 201110281329.6 | 申请日: | 2011-09-21 |
公开(公告)号: | CN103022057A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 吉田浩;池田昌夫;内田史朗;丹下贵志;仓本大;有持佑之;杨辉;陆书龙;郑新和 | 申请(专利权)人: | 索尼公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L31/06;H01L31/0352;H01L31/036 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 贾静环 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。提供具备子电池的多结太阳能电池,该子电池基底与晶格匹配、具有期望的带隙。本发明多结太阳能电池是多个子电池(11),(12),(13),(14)叠层而成,子电池由第1化合物半导体层和第2化合物半导体层叠层而成,至少一个特定子电池(11)由第1层(11A1,11A2)和第2层(11C)构成,第1层(11A1,11A2)由第1-A层(11AA)和第1-B层(11AB)叠层而成,第2层11C由第2-A层(11CA)和第2-B层(11CB)叠层而成,基于特定子电池11的带隙值确定第1-A层(11AA)和第2-A层(11CA)的组成-A,基于基底晶格常数和组成-A的晶格常数之差确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)的组成-B,基于基底晶格常数与组成-B的晶格常数之差、第1-A层(11AA)厚度和第2-A层(11CA)厚度确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)厚度。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 光电 转换 元件 化合物 半导体 层叠 结构 | ||
【主权项】:
一种多结太阳能电池,其叠层有多个子电池,且光由位于最上层的子电池起入射至位于最下层的子电池,从而在各子电池中发电,其中,各子电池由具有第1导电型的第1化合物半导体层以及具有第2导电型的第2化合物半导体层叠层而成,在多个子电池中的至少一个特定的子电池中,第1化合物半导体层包含至少一个第1化合物半导体层叠层单元,该第1化合物半导体层叠层单元由具有第1导电型的第1‑A化合物半导体层以及具有第2导电型的第1‑B化合物半导体层叠层而成,第2化合物半导体层包含至少一个第2化合物半导体层叠层单元,该第2化合物半导体层叠层单元由具有不同于第1导电型的第2导电型的第2‑A化合物半导体层以及具有第2导电型的第2‑B化合物半导体层叠层而成,构成第1‑A化合物半导体层的化合物半导体组成和构成第2‑A化合物半导体层的化合物半导体组成,是相同的化合物半导体组成‑A,构成第1‑B化合物半导体层的化合物半导体组成和构成第2‑B化合物半导体层的化合物半导体组成,是相同的化合物半导体组成‑B,基于特定的子电池的带隙值,来确定化合物半导体组成‑A,基于形成第1化合物半导体层和第2化合物半导体层时基底的基底晶格常数与化合物半导体组成‑A的晶格常数之差,来确定化合物半导体组成‑B,基于基底晶格常数和化合物半导体组成‑B的晶格常数之差以及第1‑A化合物半导体层的厚度,来确定第1‑B化合物半导体层的厚度,基于基底晶格常数和化合物半导体组成‑B的晶格常数之差以及第2‑A化合物半导体层的厚度,来确定第2‑B化合物半导体层的厚度,第1‑A化合物半导体层和第2‑A化合物半导体层的厚度小于化合物半导体组成‑A的临界膜厚,是不产生量子效应的厚度,第1‑B化合物半导体层和第2‑B化合物半导体层的厚度小于化合物半导体组成‑B的临界膜厚,是不产生量子效应的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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