[发明专利]多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体无效

专利信息
申请号: 201110281329.6 申请日: 2011-09-21
公开(公告)号: CN103022057A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 吉田浩;池田昌夫;内田史朗;丹下贵志;仓本大;有持佑之;杨辉;陆书龙;郑新和 申请(专利权)人: 索尼公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L27/142 分类号: H01L27/142;H01L31/06;H01L31/0352;H01L31/036
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 贾静环
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及多结太阳能电池、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。提供具备子电池的多结太阳能电池,该子电池基底与晶格匹配、具有期望的带隙。本发明多结太阳能电池是多个子电池(11),(12),(13),(14)叠层而成,子电池由第1化合物半导体层和第2化合物半导体层叠层而成,至少一个特定子电池(11)由第1层(11A1,11A2)和第2层(11C)构成,第1层(11A1,11A2)由第1-A层(11AA)和第1-B层(11AB)叠层而成,第2层11C由第2-A层(11CA)和第2-B层(11CB)叠层而成,基于特定子电池11的带隙值确定第1-A层(11AA)和第2-A层(11CA)的组成-A,基于基底晶格常数和组成-A的晶格常数之差确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)的组成-B,基于基底晶格常数与组成-B的晶格常数之差、第1-A层(11AA)厚度和第2-A层(11CA)厚度确定第1-B层(11AB)和第2-B层(11CB)厚度。
搜索关键词: 太阳能电池 光电 转换 元件 化合物 半导体 层叠 结构
【主权项】:
一种多结太阳能电池,其叠层有多个子电池,且光由位于最上层的子电池起入射至位于最下层的子电池,从而在各子电池中发电,其中,各子电池由具有第1导电型的第1化合物半导体层以及具有第2导电型的第2化合物半导体层叠层而成,在多个子电池中的至少一个特定的子电池中,第1化合物半导体层包含至少一个第1化合物半导体层叠层单元,该第1化合物半导体层叠层单元由具有第1导电型的第1‑A化合物半导体层以及具有第2导电型的第1‑B化合物半导体层叠层而成,第2化合物半导体层包含至少一个第2化合物半导体层叠层单元,该第2化合物半导体层叠层单元由具有不同于第1导电型的第2导电型的第2‑A化合物半导体层以及具有第2导电型的第2‑B化合物半导体层叠层而成,构成第1‑A化合物半导体层的化合物半导体组成和构成第2‑A化合物半导体层的化合物半导体组成,是相同的化合物半导体组成‑A,构成第1‑B化合物半导体层的化合物半导体组成和构成第2‑B化合物半导体层的化合物半导体组成,是相同的化合物半导体组成‑B,基于特定的子电池的带隙值,来确定化合物半导体组成‑A,基于形成第1化合物半导体层和第2化合物半导体层时基底的基底晶格常数与化合物半导体组成‑A的晶格常数之差,来确定化合物半导体组成‑B,基于基底晶格常数和化合物半导体组成‑B的晶格常数之差以及第1‑A化合物半导体层的厚度,来确定第1‑B化合物半导体层的厚度,基于基底晶格常数和化合物半导体组成‑B的晶格常数之差以及第2‑A化合物半导体层的厚度,来确定第2‑B化合物半导体层的厚度,第1‑A化合物半导体层和第2‑A化合物半导体层的厚度小于化合物半导体组成‑A的临界膜厚,是不产生量子效应的厚度,第1‑B化合物半导体层和第2‑B化合物半导体层的厚度小于化合物半导体组成‑B的临界膜厚,是不产生量子效应的厚度。
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