[发明专利]多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体无效
申请号: | 201110281336.6 | 申请日: | 2011-09-21 |
公开(公告)号: | CN103022058A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 吉田浩;池田昌夫;内田史朗;丹下贵志;仓本大;有持佑之;杨辉;陆书龙;郑新和 | 申请(专利权)人: | 索尼公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L31/078;H01L31/0352;H01L31/036 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 贾静环 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。本发明提供一种多结太阳能电池,所述多结太阳能电池的接合部接触电阻降低,且可以进行高效率的能量转换。多结太阳能电池由多个子电池(11、12、13、14)叠层而成,所述子电池由多个化合物半导体层(11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、13C、14A、14B、14C)叠层而成,在至少一个相邻接的子电池(12、13)之间设置有包含导电材料的非晶质连接层(20A、20B)。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 化合物 半导体器件 光电 转换 元件 半导体 层叠 结构 | ||
【主权项】:
一种多结太阳能电池,其是由多个子电池叠层而成,所述子电池由多个化合物半导体层叠层而成,在至少一个相邻接的子电池之间的位置设置有包含导电材料的非晶质连接层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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