[发明专利]多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体无效

专利信息
申请号: 201110281336.6 申请日: 2011-09-21
公开(公告)号: CN103022058A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 吉田浩;池田昌夫;内田史朗;丹下贵志;仓本大;有持佑之;杨辉;陆书龙;郑新和 申请(专利权)人: 索尼公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L27/142 分类号: H01L27/142;H01L31/078;H01L31/0352;H01L31/036
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 贾静环
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及多结太阳能电池、化合物半导体器件、光电转换元件和化合物半导体层叠层结构体。本发明提供一种多结太阳能电池,所述多结太阳能电池的接合部接触电阻降低,且可以进行高效率的能量转换。多结太阳能电池由多个子电池(11、12、13、14)叠层而成,所述子电池由多个化合物半导体层(11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、13C、14A、14B、14C)叠层而成,在至少一个相邻接的子电池(12、13)之间设置有包含导电材料的非晶质连接层(20A、20B)。
搜索关键词: 太阳能电池 化合物 半导体器件 光电 转换 元件 半导体 层叠 结构
【主权项】:
一种多结太阳能电池,其是由多个子电池叠层而成,所述子电池由多个化合物半导体层叠层而成,在至少一个相邻接的子电池之间的位置设置有包含导电材料的非晶质连接层。
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