[发明专利]在穿硅通孔镀敷中减少副产品无效
| 申请号： | 201110281341.7 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102400196A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 马克·J·威利;李孝尚 | 申请（专利权）人： | 诺发系统有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D3/38;C25D5/02;C25D21/12;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及在穿硅通孔镀敷中减少副产品。确切地说，本发明描述用于用具有低氧浓度的镀敷溶液将金属镀敷到工件上的方法、系统及设备。在一方面中，一种方法包含降低镀敷溶液的氧浓度。所述镀敷溶液包含约百万分之10或更少的加速剂及约百万分之300或更少的抑制剂。在降低了所述镀敷溶液的所述氧浓度之后，在镀敷单元中使晶片衬底与所述镀敷溶液接触。所述镀敷单元中的所述镀敷溶液的所述氧浓度为约百万分之1或更少。接着，在所述镀敷单元中将金属电镀到所述晶片衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 穿硅通孔镀敷中 减少 副产品 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：降低镀敷溶液的氧浓度，其中所述镀敷溶液包含约百万分之10或更少的加速剂及约百万分之300或更少的抑制剂；在降低了所述镀敷溶液的所述氧浓度之后，在镀敷单元中使晶片衬底与所述镀敷溶液接触，其中所述镀敷单元中的所述镀敷溶液的所述氧浓度为约百万分之1或更少；以及在所述镀敷单元中将金属电镀到所述晶片衬底上。
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