[发明专利]半导体激光元件、半导体激光装置及使用其的光装置无效
| 申请号： | 201110281377.5 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102403652A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 龟山真吾;祐川博至 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光元件、半导体激光装置及使用其的光装置，该半导体激光元件具备：包括活性层，具有射出侧谐振器面和反射侧谐振器面的半导体元件层；和在射出侧谐振器面的表面上的端面涂覆膜。端面涂覆膜包括：配置于端面涂覆膜最表面的光催化剂层；和配置于光催化剂层与射出侧谐振器面之间的电介质层，在活性层发出的激光的波长为λ，电介质层的折射率为n的情况下，电介质层的厚度设定为由m×λ/(2×n)(其中，m为整数)规定的厚度，并且为1μm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 装置 使用 | ||
【主权项】：
一种半导体激光元件，其特征在于，具备：包含活性层，具有射出侧谐振器面和反射侧谐振器面的半导体元件层；和在所述射出侧谐振器面的表面上的端面涂覆膜，所述端面涂覆膜包括：配置于所述端面涂覆膜的最表面的光催化剂层；和配置于所述光催化剂层与所述射出侧谐振器面之间的电介质层，在所述活性层发出的激光的波长为λ，所述电介质层的折射率为n的情况下，所述电介质层的厚度设定为由m×λ/(2×n)规定的厚度，并且为1μm以上，其中，m为整数。
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